施敏 籍贯：江苏苏州
1998年当选工程院院士

   施敏（SimonM·Sze）美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。 施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μmMOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。 施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《PhysicsofSemiconductorDevices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。 施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。 1998年6月当选为中国工程院外籍院士。